エラー

令和9年度 研究助成

260626
2026/09/11(金)

学内締切


 各自応募 

公募締切

~2026/11/06(金)
郵送(必着)
各自直接申請(所属長印要)
 ※所属機関長:学域長、研究所長等

団体名・事業名等

公益信託 小澤・吉川記念エレクトロニクス研究助成基金
令和9年度 研究助成
https://www.tr.mufg.jp/shisan/kouekishintaku_list.html

対象(研究領域等)

・電子素子の製造基盤技術の研究開発
・半導体材料および加工技術の研究開発
・固体電子素子の研究開発
・電子回路の応用研究
・光電子素子の研究開発
・情報処理関連研究
・生体系、宇宙系、電子系、ロボティクスに対する電子技術の応用研究
(その他のテーマも給付の対象となります)

分野

理工系

カテゴリー

研究助成

助成金額

~200万
200万円以下/件
3件程度

備考

【応募資格】
大学等に所属して,エレクトロニクスおよび情報処理等の研究を行う若手研究者
(令和9年4月1日現在35歳以下の方)とします。

【助成対象期間】
令和9年4月から1年間
申請書提出の際は下記の注意事項を必ずご確認下さい。
  • 要項の詳細を参照の上,応募に際しては必ず先方HP及び,募集要項等で内容を確認してください。
    注意して作成しておりますが,入力ミスがある場合があります。
    ミスに気が付いた場合,当課まで連絡をいただけると助かります。
  • 【各自応募】とあるものは、各自で期限までに財団等に直接申請願います。
  • 【学内締切】のあるものは、全学もしくは部局にて申請数が制限されているもの、もしくは鹿田地区においては研究推進課にて押印手続きが必要な事業です。
  • 各自において直接応募(申請)された場合は、下記連絡ボタンからご連絡ください。
    また、採否連絡についても同様にご連絡ください。
操作手引き書について
当サイトの操作方法や機能について操作手引き書を提供しております。下記ボタンからダウンロードしてください。
 操作手引き書(PDF形式)
当サイトでは、利便性向上のためにCookieを使用しています。詳しくはプライバシーポリシーをご確認ください。
閉じる